BD139 и BD140: распиновка TO-126, параметры, группы усиления

BD139 и BD140 — комплементарная пара транзисторов средней мощности

BD139 и BD140 — пара транзисторов средней мощности в корпусе TO-126: NPN и PNP с одинаковыми параметрами для двухтактных каскадов, драйверов и ключей на сотни миллиампер. У них непривычная цоколёвка — эмиттер, коллектор, база. Разбираем по даташитам onsemi.

Обновлено 16 октября 2026 г.Редакция GAW

BD139 (NPN) и BD140 (PNP) — комплементарная пара эпитаксиальных кремниевых транзисторов onsemi в корпусе TO-126. Они принадлежат семействам BD135/BD137/BD139 и BD136/BD138/BD140, которые различаются только допустимым напряжением: 45, 60 и 80 В. Устройство и расчёт транзисторных каскадов — в статье «Биполярный транзистор».

Распиновка

Вывод TO-126 (маркировкой к себе)	BD139 (NPN)	BD140 (PNP)
1	эмиттер	эмиттер
2	коллектор	коллектор
3	база	база

Порядок эмиттер–коллектор–база у TO-126 отличается от TO-220 у TIP41 и TIP120 (база–коллектор–эмиттер), поэтому на плате под одни транзисторы другие без переразводки не встанут.

Параметры

По даташитам onsemi при 25 °C:

Параметр	BD135 / BD136	BD137 / BD138	BD139 / BD140
Напряжение коллектор–эмиттер	45 В	60 В	80 В
Напряжение коллектор–база	45 В	60 В	80 В

Общие для семейства (у PNP — с обратным знаком):

Параметр	Значение
Ток коллектора	1,5 А, импульсный 3 А
Ток базы	до 0,5 А
Мощность	12,5 Вт при корпусе 25 °C; 1,25 Вт без радиатора
Тепловое сопротивление	10 °C/Вт кристалл–корпус, 100 °C/Вт кристалл–воздух
Усиление h_21э	не меньше 25 при 5 мА и 0,5 А; 40–250 при 150 мА
Насыщение U_CE(sat)	до 0,5 В при 500 мА и токе базы 50 мА
Напряжение база–эмиттер	до 1 В при 0,5 А

Группы усиления

Буквенно-цифровой суффикс задаёт диапазон h_21э при напряжении 2 В и токе 150 мА:

Группа	h_21э
-10 (BD139-10, BD140-10)	63–160
-16 (BD139-16, BD140-16)	100–250

В комплементарных каскадах берут транзисторы одной группы. В даташитах onsemi часть исполнений отмечена как снятая с производства — при заказе проверяйте наличие конкретной группы.

В ключе и с радиатором

Насыщение onsemi гарантирует при токе базы в 10 раз меньше тока коллектора: для 0,5 А нужно 50 мА базы — больше, чем даёт вывод микроконтроллера. Поэтому BD139 от логики управляют через маломощный транзистор или берут составной TIP120.

Без радиатора BD139 рассеивает лишь 1,25 Вт: при 1,25 Вт кристалл нагреется на 125 °C над окружающей. В насыщении при 0,5 А это всего 0,25 Вт, а в линейном режиме — например, при 5 В на транзисторе и токе 0,5 А — уже 2,5 Вт, и нужен радиатор. Его подбирают по сумме тепловых сопротивлений корпуса, прокладки и радиатора — в калькуляторе радиатора. Другие транзисторы — в разделе «Транзисторы».

Частые вопросы

Какая распиновка у BD139?

В корпусе TO-126, если смотреть на сторону с маркировкой: 1 — эмиттер, 2 — коллектор, 3 — база. У BD140 так же. Порядок E-C-B отличается от TIP41 и TIP120 в TO-220 (B-C-E) и от маломощных транзисторов в TO-92, поэтому при замене выводы сверяют по даташиту.

Чем отличаются BD139-10 и BD139-16?

Группой коэффициента усиления. По даташиту onsemi у исполнений -10 h21э при токе 150 мА — от 63 до 160, у -16 — от 100 до 250. Напряжения и токи одинаковые. Без суффикса группа не гарантирована: у BD139 в общем случае от 40 до 250.

Какую мощность рассеивает BD139 без радиатора?

1,25 Вт при 25 °C — тепловое сопротивление кристалл–воздух 100 °C/Вт. С радиатором — до 12,5 Вт при температуре корпуса 25 °C, кристалл–корпус 10 °C/Вт. Реальная мощность зависит от радиатора: её считают по сумме тепловых сопротивлений.

Где используют пару BD139 и BD140?

В двухтактных выходных каскадах усилителей и драйверов, где NPN работает на положительную полуволну, а PNP — на отрицательную, в драйверах затворов и мощных транзисторов, в ключах на ток до 1,5 А. onsemi прямо называет их комплементарными: BD139 — пара для BD140.

Источники

onsemi. BD135, 137, 139: NPN Epitaxial Silicon Transistor (BD139/D, Rev. 3, April 2026) — предельные режимы: BD139 — 80 В, ток 1,5 А, импульсный 3 А, база 0,5 А, 12,5 Вт при корпусе 25 °C и 1,25 Вт без радиатора; RθJC 10 °C/Вт, RθJA 100 °C/Вт; выводы TO-126: 1 — эмиттер, 2 — коллектор, 3 — база; hFE, VCE(sat), VBE(on)

onsemi. BD136 Series: PNP Epitaxial Silicon Transistor BD136/BD138/BD140 (BD136/D, Rev. 2, May 2024) — BD140 — −80 В, −1,5 А, те же мощности и выводы; группы усиления -10 (63–160) и -16 (100–250) при −150 мА