КТ817 и КТ816 — комплементарная пара транзисторов на 3 А

КТ817 и КТ816 — пара n-p-n и p-n-p транзисторов на 3 А в том же корпусе КТ-27 (TO-126), что и КТ815 с КТ814, но с вдвое большим током. «Интеграл» выпускает их и в DPAK и называет прототипы — BD233, BD235, BD237 и BD234, BD236, BD238. По спецификациям производителя — выводы, буквы, насыщение и управление.

Обновлено 18 октября 2026 г.Редакция GAW

Содержание

Цоколёвка
Параметры
КТ815 или КТ817
Пример: ключ на 1 А
Аналоги
Типичные ошибки

КТ817 (n-p-n) и КТ816 (p-n-p) — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы для ключевых и линейных схем. В спецификациях «Интеграла» они названы комплементарной парой, и все числа в двух документах совпадают — отличается только полярность. В корпусе КТ-27, аналоге TO-126, выпускаются буквы А, Б, В, Г, в корпусе КТ-89, аналоге DPAK, — А9, Б9, В9, Г9. Устройство и режимы транзистора — в статье «Биполярный транзистор».

Цоколёвка

Вывод	КТ-27 (TO-126): КТ817А–Г, КТ816А–Г	КТ-89 (DPAK): КТ817А9–Г9, КТ816А9–Г9
1	эмиттер	база
2	коллектор	коллектор
3	база	эмиттер

На рисунке спецификации корпус КТ-27 обращён к читателю стороной с крепёжным отверстием и тремя круглыми метками, выводы направлены вниз; в таком положении слева вывод 1 — эмиттер, в середине 2 — коллектор, справа 3 — база. Надписи и обратной стороны рисунок не показывает, а сам рисунок производитель называет иллюстративным, поэтому выводы проверяют мультиметром. На рисунке КТ-89 номер 2 стоит у теплоотводящей площадки; в DPAK база и эмиттер переставлены по сравнению с КТ-27.

Выводы те же, что у КТ815 и КТ814, и по разводке КТ817 встаёт на их место. Но напряжения у одноимённых букв разные: КТ817Б и КТ817В рассчитаны на 45 и 60 В против 50 и 70 В у КТ815Б и КТ815В, поэтому при замене сверяют напряжение по таблицам ниже.

Параметры

Электрические параметры — при 25 °C; у КТ816 напряжения и токи отрицательные. Буквы с цифрой 9 нормированы так же, как исходные.

Тип n-p-n / p-n-p	U_{кэ max} при R_бэ ≤ 1 кОм	U_{кэо гр}	Прототип
КТ817А / КТ816А	40 В	от 25 В	—
КТ817Б / КТ816Б	45 В	от 45 В	BD233 / BD234
КТ817В / КТ816В	60 В	от 60 В	BD235 / BD236
КТ817Г / КТ816Г	100 В	от 80 В	BD237 / BD238

Граничное напряжение U_{кэо гр} измеряют с оборванной базой, импульсом 0,3–1 мс при токе эмиттера 0,1 А. Полное напряжение из второго столбца допустимо, только если базу и эмиттер соединяет сопротивление R_бэ не больше 1 кОм.

Общие для всех букв:

Параметр	Значение
Постоянный ток коллектора	3 А
Импульсный ток коллектора	6 А (длительность и скважность импульса в спецификации не указаны)
Постоянный ток базы	до 1 А
Напряжение эмиттер–база	5 В
Мощность коллектора	25 Вт (условие по температуре корпуса в спецификации не указано)
Температура перехода	150 °C
Рабочая температура корпуса	−60…+150 °C
h_21э при U_кб = 2 В, I_э = 1 А	25–275
U_{кэ нас}	до 0,6 В при I_к = 1 А, I_б = 0,1 А
Обратный ток коллектор–эмиттер	до 200 мкА при U_{кэ max} и R_бэ ≤ 1 кОм

Маркировку корпуса ознакомительные спецификации не описывают — её нужно уточнять по техническим условиям.

КТ815 или КТ817

По спецификациям «Интеграла» оба типа выпускаются в одних корпусах с одинаковыми выводами, а различаются нагрузочной способностью и напряжениями по буквам:

Параметр	КТ815 / КТ814	КТ817 / КТ816
Постоянный ток	1,5 А	3 А
Ток базы	до 0,5 А	до 1 А
Мощность	10 Вт	25 Вт
Насыщение 0,6 В гарантировано	при 0,5 А и I_б = 50 мА	при 1 А и I_б = 0,1 А
h_21э	30–275 при 0,15 А (А–В: 40–275)	25–275 при 1 А
U_{кэ max} для букв А, Б, В, Г	40, 50, 70, 100 В	40, 45, 60, 100 В
U_{кэо гр} для букв А, Б, В, Г	от 30, 45, 65, 85 В	от 25, 45, 60, 80 В
Резистор база–эмиттер для полного U_кэ	до 100 Ом	до 1 кОм

КТ815 хватает для токов до 0,5–1 А: насыщение у него нормировано при 0,5 А. Для 1–3 А берут КТ817, у которого насыщение нормировано при 1 А.

Пример: ключ на 1 А

Нагрузка — нагреватель 12 В на 1 А, ключ — КТ817Б в минусовом проводе. Лампу накаливания так не считают: холодная нить при включении потребляет в несколько раз больше рабочего тока.

Спецификация гарантирует насыщение при I_к = 1 А и I_б = 0,1 А: на транзисторе не больше 0,6 В.
Мощность в цепи коллектора: 0,6 · 1 = 0,6 Вт. К ней добавляется переход база–эмиттер: 0,1 А на напряжение, которого спецификация не приводит, — при 1 В это ещё около 0,1 Вт, всего около 0,7 Вт. Мощности без радиатора спецификация не даёт; ориентир — 1,25 Вт при 25 °C воздуха, которые «Интеграл» указывает для КТ972 в тех же корпусах. Запас около 1,8 раза, а в тёплом корпусе прибора ещё меньше — лучше поставить небольшой радиатор и рассчитать его в калькуляторе радиатора.
Ток базы 0,1 А с вывода микроконтроллера не взять. По минимальному h21э = 25 даже без запаса нужно 1000 мА/25 = 40 мА.

Поэтому КТ817 управляют через промежуточный транзистор, который отдаёт в базу десятки миллиампер от источника питания нагрузки, или ставят составной КТ972 — ему для 1 А достаточно единиц миллиампер. Но насыщение 1,5 В КТ972 гарантирует только при токе базы 50 мА, и если взять 1,5 В как ориентир, при 1 А на нём выделится около 1,5 Вт — больше ориентира 1,25 Вт и в 2,5 раза больше 0,6 Вт в цепи коллектора КТ817. Составному транзистору на таком токе нужен радиатор. Расчёт резистора и запаса по току базы — в калькуляторе транзисторного ключа. Для индуктивной нагрузки параллельно ей ставят диод.

Аналоги

Спецификации называют прототипы: КТ817Б, В, Г — BD233, BD235, BD237, КТ816Б, В, Г — BD234, BD236, BD238. «Интеграл» оговаривает, что прототип — ближайший или функциональный аналог, а не точная копия конструкции; при замене сверяют напряжение, ток, усиление и выводы по документам обоих производителей.

Типичные ошибки

Разводка КТ-27 на DPAK. У КТ817А9…Г9 вывод 1 — база, 3 — эмиттер.
Полное напряжение без резистора база–эмиттер. Без сопротивления до 1 кОм между базой и эмиттером КТ817А рассчитан лишь на граничные 25 В вместо 40 В.
Расчёт ключа по максимальному h21э. При 1 А гарантировано только 25.
25 Вт без радиатора. Это предельная мощность из таблицы, а не мощность корпуса на воздухе.
Импульсный ток как постоянный. 6 А допустимы только в импульсе, условия которого спецификация не приводит; постоянно — 3 А.
Замена КТ815 на КТ817 без сверки напряжения. У КТ817Б и КТ817В предел 45 и 60 В, у КТ815Б и КТ815В — 50 и 70 В.

Другие транзисторы — в разделе «Транзисторы».

Частые вопросы

Какая цоколёвка у КТ817?

По спецификации «Интеграла» в корпусе КТ-27 (TO-126), если держать его как на рисунке — стороной с крепёжным отверстием и тремя круглыми метками к себе, выводами вниз: слева 1 — эмиттер, 2 — коллектор, справа 3 — база, как у КТ815. В корпусе КТ-89 (DPAK, КТ817А9…Г9): 1 — база, 2 — коллектор, 3 — эмиттер. У КТ816 выводы такие же.

Чем отличается КТ817 от КТ815?

Током и мощностью: у КТ817 3 А постоянного тока и 25 Вт против 1,5 А и 10 Вт у КТ815. Насыщение до 0,6 В у КТ817 гарантировано при 1 А и токе базы 0,1 А, у КТ815 — при 0,5 А и 50 мА. Корпус и выводы одинаковые, а напряжения по буквам — нет: у КТ817Б и В 45 и 60 В против 50 и 70 В у КТ815Б и В.

Какой зарубежный аналог у КТ817Г?

«Интеграл» называет прототипом КТ817Г транзистор BD237, а КТ816Г — BD238; для Б и В — BD233, BD235 и BD234, BD236. Для КТ817А и КТ816А прототип не назван. Производитель оговаривает, что прототип — ближайший или функциональный аналог, а не точная копия.

Какой ток базы нужен КТ817 для 1 А?

Насыщение до 0,6 В спецификация гарантирует при токе базы 0,1 А — в 10 раз меньше тока коллектора. Минимальный h21э при 1 А равен 25, то есть даже без запаса нужно 40 мА. С вывода микроконтроллера столько не взять: нужен промежуточный транзистор или составной КТ972 — но у него при 1 А падение около 1,5 В, и без радиатора он перегреется.

Какое напряжение выдерживает КТ817Г?

100 В при резисторе не больше 1 кОм между базой и эмиттером. Граничное напряжение с оборванной базой — от 80 В. У КТ817А, Б и В — 40, 45 и 60 В с резистором и от 25, 45 и 60 В без него.

Источники

ОАО «Интеграл». КТ817 — n-p-n кремниевый биполярный транзистор (техническая спецификация, январь 2011 г., редакция 1.0) — с. 1: прототипы КТ817Б — BD233, КТ817В — BD235, КТ817Г — BD237; комплементарная пара — КТ816; температура корпуса −60…+150 °C; ТУ аАО.336.187 ТУ / 02; корпуса КТ-27 (TO-126) и КТ-89 (DPAK); выводы КТ-27: 1 — эмиттер, 2 — коллектор, 3 — база; КТ-89: 1 — база, 2 — коллектор, 3 — эмиттер; с. 2: таблица 1 — Uкэо гр, Iкбо, Iкэr, h21э, Uкэ нас при 25 °C; таблица 2 — предельные режимы (3 А, 6 А в импульсе, 1 А базы, 25 Вт, 150 °C)
ОАО «Интеграл». КТ816 — p-n-p кремниевый биполярный транзистор (техническая спецификация, январь 2011 г., редакция 1.0) — с. 1: прототипы КТ816Б — BD234, КТ816В — BD236, КТ816Г — BD238; комплементарная пара — КТ817; ТУ аАО.336.186 ТУ / 02; корпуса и выводы как у КТ817; с. 2: таблицы 1 и 2 с теми же значениями, что у КТ817
ОАО «Интеграл». КТ815 — n-p-n кремниевый биполярный транзистор (техническая спецификация, январь 2011 г., редакция 1.0) — таблицы 1 и 2 — для сравнения КТ815 и КТ817: 1,5 А и 10 Вт, Uкэ max 40, 50, 70, 100 В при Rбэ ≤ 100 Ом, Uкэо гр от 30, 45, 65, 85 В, h21э 40–275 при 0,15 А (у КТ815Г — 30–275), Uкэ нас 0,6 В при 0,5 А
ОАО «Интеграл». КТ972 — n-p-n составной биполярный транзистор (техническая спецификация, январь 2011 г., редакция 1.0) — таблица 1: Uкэ нас до 1,5 В при 0,5 А и токе базы 50 мА; таблица 2: 1,25 Вт при температуре среды 25 °C — одно значение для КТ-27 и КТ-89; здесь — ориентир для КТ817 без радиатора
ОАО «Интеграл». Каталог продукции: КТ817А…Г, КТ817А9…Г9, КТ816А…Г, КТ816А9…Г9 — изделия в текущем каталоге: корпус КТ-27 у букв без цифры, КТ-89 — у исполнений с цифрой 9; к карточкам приложены те же спецификации

Нашли ошибку?