КТ819 и КТ818 — мощная комплементарная пара на 10 А

КТ819 и КТ818 — мощные n-p-n и p-n-p транзисторы на 10 А для выходных каскадов, стабилизаторов и ключей. Минский «Интеграл» выпускает их в пластмассовом корпусе КТ-28 (TO-220). Разбираем по спецификациям производителя выводы, буквы, насыщение, ток базы и почему 60 Вт из таблицы — не мощность без радиатора.

Обновлено 18 октября 2026 г.Редакция GAW

Содержание

Цоколёвка
Параметры
Пример: ключ на 5 А
Типичные ошибки

КТ819 (n-p-n) и КТ818 (p-n-p) — кремниевые эпитаксиально-планарные транзисторы в пластмассовом корпусе для ключевых и линейных схем. В спецификации КТ818 они прямо названы комплементарной парой. «Интеграл» выпускает их в корпусе КТ-28, аналоге TO-220, с буквами А, Б, В, Г; других исполнений в его каталоге нет. Как транзистор работает в ключе и линейном режиме — в статье «Биполярный транзистор».

Цоколёвка

Вывод (пластмассовой стороной к себе, выводы вниз)	КТ819 (n-p-n)	КТ818 (p-n-p)
1 (слева)	эмиттер	эмиттер
2 (в середине)	коллектор	коллектор
3 (справа)	база	база

Так выводы назначены в таблицах спецификаций, а на рисунке корпус показан пластмассовой стороной с меткой к читателю, металлический фланец — сзади, номера 1, 2, 3 — слева направо. С каким выводом соединён фланец, ознакомительная спецификация не говорит; перед установкой на общий радиатор это проверяют омметром.

Порядок эмиттер–коллектор–база отличается от TIP41 и TIP120 по onsemi (база–коллектор–эмиттер, карточка TIP120 и TIP41): впаянный на их место КТ819 окажется с переставленными базой и эмиттером.

Параметры

Электрические параметры — при 25 °C; у КТ818 напряжения и токи отрицательные.

Тип	U_{кэ max} при R_бэ ≤ 1 кОм, КТ819 / КТ818	U_{кэо гр}	h_21э при U_кб = 5 В, I_э = 5 А
А	40 В / 40 В	от 25 В	от 15
Б	50 В / 50 В	от 40 В	от 20
В	70 В / 70 В	от 60 В	от 15
Г	100 В / 90 В	от 80 В	от 12

Граничное напряжение U_{кэо гр} измеряют с оборванной базой при токе эмиттера 0,3 А импульсом 270–330 мкс. Полное напряжение из второго столбца допустимо, только если базу и эмиттер соединяет сопротивление R_бэ не больше 1 кОм.

Общие для всех букв:

Параметр	Значение
Постоянный ток коллектора	10 А
Импульсный ток коллектора	15 А (импульс до 10 мс, скважность от 100)
Постоянный ток базы	до 3 А
Импульсный ток базы	5 А (импульс до 10 мс, скважность от 100)
Напряжение эмиттер–база	5 В
Мощность	60 Вт при температуре корпуса не выше 25 °C
Рабочая температура	−45…+100 °C
U_{кэ нас}	до 2 В при I_к = 5 А, I_б = 0,5 А
Обратный ток коллектора	до 1 мА при U_кб = 40 В

Маркировку корпуса, температуру перехода и тепловое сопротивление ознакомительные спецификации не приводят — их нужно брать из технических условий.

Пример: ключ на 5 А

Нагрузка — нагреватель на 12 В с током 5 А, ключ — КТ819Б в минусовом проводе. Лампы накаливания так не считают: холодная нить при включении потребляет в несколько раз больше рабочего тока, и бросок может выйти за 15 А импульсного тока.

Насыщение спецификация гарантирует при I_к = 5 А и I_б = 0,5 А: на транзисторе не больше 2 В.
Мощность в цепи коллектора: 2 · 5 = 10 Вт. К ней добавляется переход база–эмиттер: 0,5 А на напряжение, которого спецификация не приводит, — при 1–1,5 В это ещё 0,5–0,75 Вт. Вместе около 11 Вт — меньше пятой части от 60 Вт, но 60 Вт разрешены только при корпусе не горячее 25 °C. При нагреве корпуса допустимая мощность падает, а насколько — спецификация не говорит. Радиатор обязателен; его площадь считают в калькуляторе радиатора по тепловому сопротивлению и предельной температуре перехода из технических условий.
Ток базы 0,5 А не даст ни вывод микроконтроллера, ни маломощный транзистор. Даже без запаса, по минимальному h21э = 20 у буквы Б, нужно 5/20 = 0,25 А.

Базу КТ819 питают от промежуточного транзистора средней мощности — например, КТ817, рассчитанного на 3 А коллектора. Для простого включения нагрузки от микроконтроллера на 5 А и более часто удобнее MOSFET с логическим уровнем затвора под 5-вольтовую логику: он не потребляет постоянного тока управления. У IRLZ44 при напряжении затвор–исток 5 В сопротивление канала не больше 0,028 Ом (нормировано при 25 °C), и при 5 А на нём выделится около 0,7 Вт; с нагревом кристалла сопротивление растёт, и потери будут несколько больше, но всё равно далеко от 10 Вт. От 3,3 В такой транзистор надёжнее включать через драйвер затвора.

Типичные ошибки

Цоколёвка TIP41. У КТ819 вывод 1 — эмиттер, 3 — база, у TIP41 — наоборот.
60 Вт без радиатора. Это мощность при корпусе не горячее 25 °C, а не мощность корпуса на воздухе.
КТ818Г на 100 В. У p-n-p буквы Г предел 90 В, у КТ819Г — 100 В.
Ток базы как у маломощного ключа. При 5 А нужно 0,5 А базы — десятая часть тока нагрузки.
Полное напряжение без резистора база–эмиттер. С оборванной базой КТ819А рассчитан на граничные 25 В вместо 40 В.
Фланец на общем радиаторе без проверки. С каким выводом соединён фланец, спецификация не говорит — проверьте омметром и при необходимости поставьте изолирующую прокладку.

Другие транзисторы — в разделе «Транзисторы».

Частые вопросы

Какая цоколёвка у КТ819?

По спецификации «Интеграла» в корпусе КТ-28 (TO-220), если смотреть на пластмассовую сторону и держать выводы вниз: 1 — эмиттер, 2 — коллектор, 3 — база. У КТ818 так же. У TIP41 в TO-220 по onsemi база и эмиттер переставлены: 1 — база, 3 — эмиттер.

Чем отличаются КТ819А, Б, В и Г?

Напряжением и усилением. При резисторе до 1 кОм между базой и эмиттером допустимо 40, 50, 70 и 100 В, граничное напряжение — от 25, 40, 60 и 80 В. Минимальный h21э при 5 А — 15, 20, 15 и 12. У КТ818Г предельное напряжение 90 В, а не 100 В.

Сколько ватт рассеивает КТ819 без радиатора?

Спецификация этого не указывает. 60 Вт допустимы только при температуре корпуса не выше 25 °C — это идеальный теплоотвод, на практике недостижимый: уже при 25 °C воздуха корпус на радиаторе нагреется выше. Реальная мощность заметно меньше. Ни теплового сопротивления, ни температуры перехода в ознакомительной спецификации нет — их нужно брать из технических условий.

Какой ток базы нужен КТ819 для 5 А?

Насыщение до 2 В спецификация гарантирует при токе базы 0,5 А — в 10 раз меньше тока коллектора. По минимальному h21э при 5 А (12–20 по буквам) без запаса нужно от 0,25 до 0,42 А. Такой ток даёт только промежуточный каскад.

Есть ли у КТ819 зарубежный прототип?

В спецификациях КТ819 и КТ818 прототип не назван. Для сравнения на сайте есть TIP41 и TIP120 в том же корпусе TO-220 на 6 и 5 А, но это не заявленные производителем замены, а у TIP41 другой порядок выводов.

Источники

ОАО «Интеграл». КТ819 — кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор (техническая спецификация, январь 2011 г., редакция 1.0) — с. 1: ТУ аАО.336.189 ТУ / 02, рабочая температура −45…+100 °C, корпус КТ-28 (TO-220), выводы: 1 — эмиттер, 2 — коллектор, 3 — база, рисунок — вид на пластмассовую сторону, выводы вниз; с. 2: таблица 1 — Iкбо, h21э при 5 А, Uкэо гр, Uкэ нас при 25 °C; таблица 2 — предельные режимы (Uкэ 40–100 В, 10 А, 15 А в импульсе, база 3 А, 60 Вт при корпусе до 25 °C)
ОАО «Интеграл». КТ818 — кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор (техническая спецификация, январь 2011 г., редакция 1.0) — с. 1: комплементарная пара КТ819, ТУ аАО.336.188 ТУ / 02, −45…+100 °C, КТ-28 (TO-220), выводы как у КТ819; с. 2: таблицы 1 и 2 — те же значения, кроме Uкэ max у КТ818Г: 90 В
ОАО «Интеграл». Каталог продукции: КТ819А…Г и КТ818А…Г — в каталоге — только КТ819А, Б, В, Г и КТ818А, Б, В, Г в корпусе КТ-28-2; к карточкам приложены те же спецификации

Нашли ошибку?