Перейти к содержанию

Ток фиксации (IL)

Импульс на управляющем электроде открывает симистор, но это ещё не значит, что он останется открытым. Если к концу импульса ток нагрузки не дорос до тока фиксации, прибор закроется вместе с импульсом. Особенно часто это случается с индуктивной нагрузкой и слишком коротким импульсом.

Обновлено Редакция GAW

Ток фиксации (latching current, IL) — наименьший ток через тиристор или симистор, при котором прибор остаётся открытым сразу после снятия сигнала с управляющего электрода. Пока течёт ток управления, прибор открыт принудительно; когда импульс заканчивается, внутренняя обратная связь должна удерживать его сама, а для этого ток нагрузки к этому моменту должен превысить IL. Если не превысил — прибор закроется вместе с концом импульса.

Значения в даташитах

ПриборIL максимумIH максимумИсточник
BT136-600E15–20 мА15 мАWeEn, табл. 7
BT136-60020–30 мА15 мАWeEn, табл. 7
BT139-60040–60 мА45 мАWeEn, табл. 6
VS-25TTS08200 мА150 мАVishay, doc. 96288, с. 2

У симисторов значение зависит от квадранта управления: у BT136-600 в квадрантах T2+ G+ и T2− G− — до 20 мА, в T2+ G− и T2− G+ — до 30 мА (WeEn, табл. 7). WeEn измеряет IL при токе управления 0,1 А и напряжении 12 В, а для других температур даёт нормированный график (рис. 8).

Ток фиксации и длина импульса

IL обычно больше тока удержания, и из определения следует практическое правило (наш вывод из определений): импульс управления должен длиться, пока ток нагрузки не превысит IL.

  • Резистивная нагрузка. Ток появляется почти сразу после включения: время включения по управляющему электроду у BT136-600 — около 2 мкс (WeEn, табл. 7), у VS-25TTS08 — 0,9 мкс (Vishay, с. 2). Короткого импульса хватает, если только мгновенное напряжение сети в этот момент не слишком мало.
  • Индуктивная нагрузка. Ток в катушке нарастает медленно, и короткий импульс заканчивается раньше, чем ток дорастёт до IL. Импульс удлиняют, подают серию импульсов или держат управление до конца полупериода.
  • Начало и конец полупериода. Вблизи перехода сети через ноль мгновенное напряжение мало, и даже через резистор ток может не достичь IL за время импульса.

Сколько тока нужно подать в управляющий электрод, чтобы прибор вообще начал открываться, задаёт другой параметр — ток отпирания IGT.

Частые вопросы

Чем ток фиксации отличается от тока удержания?

Ток фиксации IL нужен в момент включения: к концу импульса управления ток через прибор должен его превысить, иначе прибор закроется. Ток удержания IH нужен потом, чтобы уже открытый прибор не закрылся. Обычно IL больше: у VS-25TTS08 — до 200 мА против 150 мА, у BT136-600 — до 20–30 мА против 15 мА.

Какой длины делать импульс управления симистором?

Таким, чтобы за время импульса ток нагрузки успел вырасти выше IL. С резистивной нагрузкой обычно хватает короткого импульса, а с индуктивной ток нарастает медленно, и импульс приходится удлинять или подавать управление до конца полупериода. Точную длину проверяют осциллографом по току нагрузки в худшей точке фазы.

Зависит ли ток фиксации от квадранта?

Да. У BT136-600 максимум 20 мА в квадрантах T2+ G+ и T2− G− и 30 мА в квадрантах T2+ G− и T2− G+ (WeEn, табл. 7). У тринистора квадрант один, и в даташите приводят одно значение.

Источники

  1. WeEn Semiconductors. BT136-600: 4Q Triac, Product data sheet (Rev.02, 25 September 2024) — табл. 7: IL при VD = 12 В, IG = 0,1 А, Tj = 25 °C — T2+ G+ 7/20 мА, T2+ G− 16/30 мА, T2− G− 5/20 мА, T2− G+ 7/30 мА (типично/максимум); IH 5/15 мА; tgt 2 мкс; рис. 8 — нормированный IL от температуры по квадрантам
  2. WeEn Semiconductors. BT139-600: 4Q Triac, Product data sheet (26 September 2018) — табл. 6: IL T2+ G+ 7/40 мА, T2+ G− 20/60 мА, T2− G− 8/40 мА, T2− G+ 10/60 мА; IH 6/45 мА
  3. WeEn Semiconductors. BT136-600E: 4Q Triac, Product data sheet (Rev.01, 14 March 2018) — табл. 7: IL 15/20/15/20 мА максимум по квадрантам T2+ G+, T2+ G−, T2− G−, T2− G+; IH до 15 мА
  4. Vishay. VS-25TTS08-M3, VS-25TTS12-M3: Thyristor High Voltage, Phase Control SCR, 25 A (doc. 96288, revision 26-Nov-2024) — с. 2: IL до 200 мА и IH до 150 мА при анодном питании 6 В, резистивной нагрузке, TJ = 25 °C; tgt 0,9 мкс типично

Нашли ошибку?