Перейти к содержанию

Драйверы H-моста: L298, A4988 и дискретный мост

H-мост меняет полярность напряжения на двигателе, а значит — направление вращения. Разбираем, как он устроен, чем опасен сквозной ток, зачем диоды и чем отличаются мосты на биполярных транзисторах вроде L298 от мостов на MOSFET — с расчётом потерь по даташитам.

Обновлено Редакция GAW

H-мост — четыре ключа, соединённые буквой «H» вокруг двигателя. Каждая половина (полумост) подключает свой вывод двигателя к плюсу питания или к земле. Открыв верхний ключ одной половины и нижний ключ другой, получают ток через двигатель в одну сторону, открыв другую диагональ — в другую. Так меняют направление вращения коллекторного двигателя, а пара мостов управляет двумя обмотками биполярного шагового двигателя.

Режимы моста

Кроме двух направлений мост даёт ещё два полезных режима (AN905, таблица 1):

  • Выбег — все ключи закрыты, выводы двигателя отключены, он останавливается сам.
  • Торможение — открыты оба нижних (или оба верхних) ключа, выводы двигателя замкнуты между собой. Вращающийся двигатель работает как генератор на короткое замыкание и останавливается быстро. Ток торможения ограничен только сопротивлением обмоток и ключей, поэтому он не должен превышать допустимый ток моста.

Сквозной ток и мёртвое время

Если открыть верхний и нижний ключ одного полумоста одновременно, они замкнут питание на землю — сквозной ток выведет мост из строя за мгновения. Отсюда два правила:

  • Пока микроконтроллер стартует и его выводы не настроены, все ключи должны быть закрыты. AN905 для этого подтягивает входы драйверов ключей к земле резисторами.
  • При переключении полумоста сначала закрывают открытый ключ и выдерживают паузу — мёртвое время — и только потом открывают противоположный. Ключи закрываются не мгновенно, и без паузы оба на короткое время оказываются открытыми.

В готовых драйверах защита встроена: у A4988 мёртвое время при переключении (crossover dead time) составляет 100–800 нс, 475 нс типично.

Диоды и конденсаторы

Двигатель — индуктивная нагрузка. Когда ключи закрываются, ток обмотки продолжает течь и ищет путь; без него выброс напряжения пробьёт ключи. Поэтому параллельно каждому ключу стоит диод, включённый в обратном направлении: через него ток обмотки возвращается в источник питания. У MOSFET есть встроенный диод между стоком и истоком, и отдельные диоды не нужны, если встроенный выдерживает ток двигателя (AN905, AN907).

AN905 предлагает ещё и конденсаторы около 10 пФ на выводах ключей — против радиопомех от искрения коллектора; они необязательны.

Мост на MOSFET своими руками

Простейший дискретный мост (AN907, рис. 9) собирают из двух P-канальных MOSFET в верхнем плече и двух N-канальных в нижнем: P-канальный открывается напряжением на затворе ниже напряжения питания, N-канальный — выше земли. Другой вариант из того же AN907 — четыре одинаковых N-канальных транзистора, а затворы верхних открывают через подкачку заряда и сдвиг уровня: так устроены специализированные драйверы полумоста и мосты в микросхемах.

Как выбрать MOSFET и рассчитать его нагрев — в статье «Ключ на MOSFET»; в мосте ток проходит последовательно через два открытых ключа, верхний и нижний.

L298

L298 (STMicroelectronics) — сдвоенный мост на биполярных транзисторах, основа популярных модулей L298N. По даташиту DS0218 Rev 5:

ПараметрЗначение
Напряжение питания мостов VSдо 46 В (предел — 50 В)
Питание логики VSS4,5–7 В
Ток канала, постоянный2 А; всего до 4 А на оба моста
Ток канала, импульсный3 А однократно (100 мс), 2,5 А повторяющийся
Входы: низкий / высокий уровеньдо 1,5 В / от 2,3 В
Падение на мосту (верхний + нижний ключ)1,8 В тип., 3,2 В макс. при 1 А; 4,9 В макс. при 2 А
Частота коммутации при 2 А25 кГц тип., 40 кГц макс.
Тепловое сопротивление кристалл — корпус (Multiwatt15)3 °C/Вт
Тепловое сопротивление кристалл — воздух35 °C/Вт (Multiwatt15), 13 °C/Вт (PowerSO20 на алюминиевой подложке)

Каждый мост управляется двумя входами (IN1, IN2 для моста A) и входом разрешения EN. При EN = 1 комбинация IN1 = 1, IN2 = 0 крутит двигатель в одну сторону, IN1 = 0, IN2 = 1 — в другую, одинаковые уровни — быстрая остановка; EN = 0 — свободный выбег (таблица 5). Скорость регулируют ШИМ на входах: даташит приводит времена переключения и для входов IN, и для входа разрешения EN.

Что требует даташит в схеме:

  • внешние диоды — четыре быстрых диода на каждый мост с временем восстановления не более 200 нс, лучше диоды Шоттки, — при работе на индуктивную нагрузку и при ШИМ на входах;
  • конденсаторы 100 нФ без индуктивности между выводами VS, VSS и землёй, рядом с микросхемой;
  • шунты в выводах SENSE A и SENSE B — если нужен контроль тока; иначе эти выводы соединяют с землёй;
  • входы разрешения в низком уровне при включении и выключении питания.

Для токов больше 2 А мосты можно включить параллельно — канал 1 с каналом 4, канал 2 с каналом 3: так L298 даёт до 3 А постоянного тока и 3,5 А в импульсе.

Мосты на MOSFET: A4988

Современные драйверы делают мосты на MOSFET: падение на открытом ключе — это ток, умноженный на сопротивление канала, а не почти постоянные пару вольт, как у биполярного транзистора. Например, в A4988 (Allegro) — два моста для шагового двигателя — сопротивление верхнего и нижнего ключа по 320 мОм типично и 430 мОм максимум, питание моторной части 8–35 В. Внутри уже есть всё, о чём говорилось выше: мёртвое время, защита от сквозного тока и синхронное выпрямление — ток обмотки после выключения идёт через открытые ключи, а не через диоды.

Сколько тепла выделит мост

Ток двигателя проходит через два открытых ключа — верхний одной половины и нижний другой. Для L298 даташит приводит падение сразу на обоих (total drop), для MOSFET-моста складывают сопротивления:

ТокL298, падениеL298, мощностьA4988, 2 × 320 мОмA4988, мощность
1 А1,8 В тип. (3,2 В макс.)1,8 Вт (до 3,2 Вт)0,64 В0,64 Вт
2 Адо 4,9 Вдо 9,8 Вт1,28 В2,56 Вт

Для A4988 взято сопротивление из даташита при 1,5 А; при нагреве кристалла оно растёт. У L298 при 2 А на мосту теряется до 9,8 Вт, а кристалл в корпусе Multiwatt15 без радиатора нагревается на 35 °C на каждый ватт — без радиатора так работать нельзя. Подобрать радиатор поможет калькулятор радиатора: тепловое сопротивление кристалл — корпус у L298 — 3 °C/Вт. Падение напряжения на мосту ещё и уменьшает напряжение на самом двигателе: от 12 В при токе 1 А на двигатель у L298 приходится около 10 В.

Частые вопросы

Почему модуль L298N сильно греется?

L298 построен на биполярных транзисторах: по даташиту на мосту падает 1,8 В при токе 1 А (до 3,2 В) и до 4,9 В при 2 А. Всё это падение превращается в тепло — около 2 Вт на мост уже при 1 А. Мосты на MOSFET с сопротивлением сотни миллиом теряют при том же токе в несколько раз меньше.

Можно ли управлять L298 от 3,3 В?

По даташиту высокий уровень на входах и входах разрешения — от 2,3 В, низкий — до 1,5 В, так что логика 3,3 В подходит. Питание логики самой микросхемы (вывод VSS) — 4,5–7 В.

Нужны ли внешние диоды к L298?

Да. Даташит требует внешний мост из четырёх быстрых диодов (время восстановления не более 200 нс, лучше диоды Шоттки) при работе на индуктивную нагрузку и при ШИМ на входах. Если берёте готовый модуль, проверьте, есть ли они на плате.

Что такое мёртвое время?

Пауза при переключении полумоста, когда закрыты оба ключа: один уже закрылся, другой ещё не открылся. Без неё верхний и нижний ключи на мгновение открыты вместе, и через них идёт сквозной ток. В A4988 эта пауза встроена — по даташиту 100–800 нс.

Источники

  1. STMicroelectronics. L298: Dual full-bridge driver (DS0218 Rev 5) — таблица 1 (предельные режимы), таблица 2 (тепловые сопротивления), таблица 3 (выводы), таблица 4 (характеристики: напряжения питания, пороги входов, падения насыщения 1 и 2 А, частота коммутации), таблица 5 (режимы), раздел 5 (диоды, конденсаторы, шунты, параллельное включение)
  2. Allegro MicroSystems. A4988: DMOS Microstepping Driver with Translator and Overcurrent Protection (A4988-DS, Rev. 8) — сопротивление ключей 320 мОм тип. и 430 мОм макс., прямое напряжение диодов 1,2 В, мёртвое время 100–800 нс, диапазон питания 8–35 В
  3. Microchip. AN905: Brushed DC Motor Fundamentals (DS00905B), 2010 — рис. 8 и таблица 1: H-мост, режимы, сквозной ток, подтяжка входов к земле, диоды и конденсаторы против помех от коллектора
  4. Microchip. AN907: Stepping Motors Fundamentals (DS00907A), 2004 — рис. 9: мост на P- и N-канальных MOSFET и вариант на одинаковых транзисторах с подкачкой заряда

Нашли ошибку?