Корпус DFN-8 3 × 3 × 0,9 мм (Microchip MF)

Особенности чертежа

Корпус C04-062C — 3,00 × 3,00 мм (базовые размеры), высота 0,80–1,00 мм при номинале 0,90 мм, зазор снизу 0,00–0,05 мм, толщина контактов 0,20 мм (справочно). Восемь контактов по четыре с шагом 0,65 мм, ширина 0,25–0,35 мм. Длина контакта — 0,20–0,55 мм при номинале 0,30: допуск несимметричный и широкий. От контакта до открытой площадки — не меньше 0,20 мм (K).

Открытая площадка — 1,60–2,40 мм вдоль рядов (D2) и 1,34–1,60 мм поперёк (E2), номинала у обоих размеров нет. Такие широкие пределы означают, что под одним обозначением MF Microchip выпускает разные кристаллы с разной площадкой; конкретный размер чертёж не задаёт. Примечания: на торцах корпуса могут быть видны перемычки выводной рамки, корпус отрезан пилой, метка вывода 1 — в заштрихованной зоне.

Посадочное место

C04-2062B: шаг 0,65 мм, центры рядов C1 = 3,10 мм, площадки контактов X1 до 0,35 мм шириной и Y1 до 0,65 мм длиной, зазор между соседними площадками G не меньше 0,30 мм, необязательная центральная площадка W2 до 2,40 мм вдоль рядов и T2 до 1,55 мм поперёк (в таблице раздела оси названы по нашему правилу: X2 — поперёк рядов, Y2 — вдоль).

Наш расчёт: внутренний край площадки контакта — в (3,10 − 0,65) / 2 = 1,225 мм от оси, край центральной площадки — в 1,55 / 2 = 0,775 мм, между ними 0,45 мм. Внешний край площадки контакта — в (3,10 + 0,65) / 2 = 1,875 мм от оси, на 0,375 мм за краем корпуса. Центральная площадка по длине равна наибольшей открытой площадке корпуса (2,40 мм), а по ширине на 0,05 мм меньше наибольшей (1,60 мм) — у большого кристалла край открытой площадки выйдет за медь на 0,025 мм с каждой стороны. Правила выбора площадок — в статье «Посадочное место».

Сравнение с VSON-8 3 × 3 TI и DFN-8 2 × 3 Microchip

Наш вывод: DFN-8 3 × 3 Microchip и VSON-8 3 × 3 TI совпадают по габариту и шагу, но не по посадочному месту: ряды площадок у Microchip на 0,3 мм шире. Наш расчёт: площадки Microchip начинаются в 1,225 мм от оси, а контакт DRB длиной до 0,5 мм — уже в 1,0 мм от оси, так что до 0,225 мм контакта останется без меди. Площадки TI (от 1,1 до 1,7 мм от оси) контакт MF накрывают, но выходят за корпус на 0,2 мм, а не на 0,375 мм, как у Microchip. Если микросхема есть в обоих корпусах, посадочное место рисуют по чертежу того корпуса, который реально ставят.

Выводы MCP2561/2

Нумерация такая же, как у этих трансиверов в SOIC-8 и PDIP-8, площадка добавлена как вывод 9. Microchip советует соединить её с VSS ради теплоотвода и помехоустойчивости (разд. 1.7.10). Тепловое сопротивление кристалл — среда — 56,7 °C/Вт в DFN против 149,5 °C/Вт в SOIC-8 (разд. 2.5): наш расчёт: при той же мощности, например при замыкании линии CAN, перегрев кристалла в DFN в 149,5 / 56,7 ≈ 2,6 раза меньше.

Расхождения в документации

• Чертежа DFN нет в даташите версии FD. Даташит MCP2561/2FD (DS20005284B, март 2026) продаёт обе микросхемы в корпусе MF и приводит для него θJA 56,7 °C/Вт, но в разделе корпусов даёт только чертежи PDIP (C04-018-P Rev G) и SOIC (C04-00057-SN Rev L). Чертёж MF есть лишь в старом даташите MCP2561/2 (DS20005167C), в редакции C04-062C; сверить его с более новой редакцией по документам этой страницы нельзя.
• Пределы площадки без номинала. Открытая площадка 1,60–2,40 × 1,34–1,60 мм — разброс 0,8 мм по длине. Центральная площадка посадочного места (до 2,40 × 1,55 мм) взята по наибольшей длине, но по ширине меньше наибольшей площадки корпуса; противоречия нет — это допустимый вариант, но маску и трафарет считают по меди платы.
• Название корпуса. На чертеже корпус назван «3x3x0.9mm Body [DFN]», в таблице кодов заказа MCP2561/2 — «Plastic Dual Flat, No Lead Package - 3x3x0.9 mm», в FD — «3x3 DFN-8L»: это один корпус MF.