Корпус SOIC-8W (TI DWV0008A) — широкий SOIC-8 с размахом 11,5 мм

DWV — восьмивыводной SOIC TI для изоляторов: шаг 1,27 мм, как у обычного SOIC-8, но корпус шириной 7,5 мм и размах выводов около 11,5 мм. Между рядами площадок остаётся 9,1 мм — это путь утечки между сторонами развязки. В DWV выпускаются изолирующий усилитель AMC1301 и изолированный трансивер CAN ISO1042. Размеры и посадочное место — по чертежу TI DWV0008A.

Обновлено 1 ноября 2026 г.Редакция GAW

Содержание

Особенности чертежа
Посадочное место
Выводы у разных микросхем
Расхождения в документации

DWV — растянутый SOIC-8 TI: шаг 1,27 мм и восемь выводов, как у SOIC-8, корпус шириной 7,5 мм, как у широкого SOIC-16, и длинные выводы с размахом около 11,5 мм. Всё это ради пути утечки между двумя сторонами изоляции: выводы 1–4 относятся к одной стороне, 5–8 — к другой. В DWV выпускаются изолирующий усилитель AMC1301 для измерения тока на шунте и изолированный трансивер CAN ISO1042. Более старый корпус для таких же задач — SOP-8 с шагом 2,54 мм (DUB).

Вид сверху в масштабе, вывод 1 выделен

Рекомендуемое посадочное место в том же виде

Размеры корпуса SOIC-8W (DWV)
Обозн.	Размер, мм	мин.	ном.	макс.
e	шаг выводов	1,27 (базовый)
e1	расстояние между крайними выводами	3,81 (базовый)
A	общая высота	—	—	2,80
A1	зазор под корпусом	0,36	—	0,46
A2	толщина корпуса	2,286 (справочно)
D	общая длина	5,75	—	5,95
E	общая ширина с выводами (TYP, типовое)	11,25	11,50	11,75
E1	ширина корпуса	7,40	—	7,60
b	ширина вывода	0,31	—	0,51
c	толщина вывода (TYP, типовое)	0,13	—	0,33
L	длина опорной части вывода	0,50	—	1,00
L1	длина вывода от корпуса	2,00 (справочно)

Рекомендуемое посадочное место
Обозн.	Размер, мм	мин.
E	шаг площадок	1,27 (справочно)
C	расстояние между центрами рядов площадок	10,90 (справочно)
X	ширина площадки	0,60 (справочно)
Y	длина площадки	1,80 (справочно)

Источник: Texas Instruments. AMC1301 Data Sheet (SBAS667G, revised April 2023), чертёж TI DWV0008A (4218796/A): Package Outline (с. 33) и Example Board Layout (с. 34) — «DWV0008A, SOIC - 2.8 mm max height, SOIC». Те же чертежи и таблицы — в Texas Instruments. ISO1042 Data Sheet (SLLSF09F, revised August 2026), с. 41 и 42. На чертежах TI размеры без буквенных обозначений: в таблице им даны обозначения, принятые на чертежах Microchip. Пределы с пометкой TYP на чертеже TI — типовые, а не гарантированные; в таблице они помечены так же. Размеры посадочного места TI приводит в скобках, как справочные; ширина и длина площадки здесь обозначены X и Y, расстояние между центрами рядов — C.

Особенности чертежа

Корпус DWV0008A — 5,75–5,95 × 7,4–7,6 мм (без облоя: до 0,15 мм по длине и до 0,25 мм между выводами на сторону, примечания 3 и 4). Размах выводов задан как 11,5 ± 0,25 мм с пометкой TYP. Высота — до 2,8 мм, толщина корпуса — около 2,286 мм (справочно), зазор снизу — 0,36–0,46 мм. Вывод шириной 0,31–0,51 мм и толщиной 0,13–0,33 мм (TYP), опорная часть — 0,5–1,0 мм, длина вывода от корпуса — около 2 мм (справочно), угол 0–8°.

Корпус на 0,15 мм выше широкого SOIC-16 (DW): у того высота до 2,65 мм. Наш расчёт: середина допуска длины — 5,85 мм; это число AMC1301 и ISO1042 приводят на первой странице как размер корпуса «5,85 × 7,50 мм».

Посадочное место

Пример TI — восемь площадок 0,6 × 1,8 мм с шагом 1,27 мм, центры рядов через 10,9 мм; все размеры справочные. Окно маски отступает от меди не более чем на 0,07 мм (для площадок, ограниченных маской, маска заходит на медь не менее чем на столько же).

Наш расчёт: зазор между рядами меди — 10,9 − 1,8 = 9,1 мм, ровно столько, сколько подписано на чертеже («9.1 mm NOMINAL CLEARANCE/CREEPAGE»); зазор между соседними площадками — 1,27 − 0,6 = 0,67 мм; габарит поперёк рядов — 12,7 мм. Внешний край площадки — в 6,35 мм от оси, на 0,475–0,725 мм дальше конца вывода (5,625–5,875 мм).

Сами корпуса гарантируют меньше 9,1 мм: AMC1301 — воздушный зазор и путь по поверхности 8,5 мм, ISO1042 — больше 8,5 мм. Наш вывод: посадочное место TI не уменьшает путь утечки корпуса, а дорожки и переходные отверстия под корпусом между рядами его сократят.

Выводы у разных микросхем

Вывод	AMC1301	ISO1042 (DWV)
1	VDD1	VCC1
2	INP	TXD
3	INN	RXD
4	GND1	GND1
5	GND2	GND2
6	OUTN	CANL
7	OUTP	CANH
8	VDD2	VCC2

Как и в DUB, питание и земля первой стороны — на выводах 1 и 4, второй — на 5 и 8. У ISO1042 сигналы TXD и RXD стоят на выводах 2 и 3, а у ISO1050 в DUB — наоборот (RXD на 2, TXD на 3), поэтому плату под ISO1050 нельзя просто перевести на ISO1042. Тепловое сопротивление кристалл — среда в DWV — 110,1 °C/Вт у AMC1301 и 100 °C/Вт у ISO1042, а у ISO1042 в DW — 69,9 °C/Вт.

Расхождения в документации

Путь утечки AMC1301. Чертёж подписывает посадочное место как «9.1 mm nominal clearance/creepage», таблица изоляции AMC1301 даёт 8,5 мм, а история изменений говорит, что раньше там было 9 мм. Наш вывод: 9,1 мм — расстояние между площадками на плате, 8,5 мм — гарантированное расстояние между выводами самого корпуса; для расчёта изоляции берут меньшее.
Корпус в таблице заказа ISO1042. Строка ISO1042DWR.A отнесена к «SOIC (DWV) | 8», хотя буквы DW в номере обозначают шестнадцативыводной широкий SOIC.

Частые вопросы

Какие размеры у корпуса SOIC-8W (DWV)?

По чертежу TI DWV0008A: длина корпуса 5,75–5,95 мм, ширина 7,4–7,6 мм, по концам выводов 11,5 ± 0,25 мм (TYP), высота до 2,8 мм, зазор под корпусом 0,36–0,46 мм. Шаг 1,27 мм, ширина вывода 0,31–0,51 мм, опорная часть 0,5–1,0 мм.

Какое посадочное место у DWV?

Пример TI: восемь площадок 0,6 × 1,8 мм с шагом 1,27 мм, центры рядов через 10,9 мм. Между рядами меди остаётся 10,9 − 1,8 = 9,1 мм — это число TI подписывает на чертеже как номинальный воздушный зазор и путь утечки.

Подходит ли посадочное место SOIC-8 для корпуса DWV?

Нет. Шаг тот же, 1,27 мм, но размах выводов у DWV около 11,5 мм против 6 мм у SOIC-8, а корпус шириной 7,5 мм вместо 3,9 мм. По ширине корпуса DWV совпадает с широким SOIC-16 (DW), но выводы у него длиннее: размах 11,5 мм против 9,97–10,63 мм.

Источники

Texas Instruments. AMC1301 Precision, ±250-mV Input, Reinforced Isolated Amplifier (SBAS667G, revised April 2023) — чертёж DWV0008A (4218796/A, 09/2013) «SOIC - 2.8 mm max height»: Package Outline (с. 33) и Example Board Layout (с. 34) с подписью «9.1 mm NOMINAL CLEARANCE/CREEPAGE»; с. 1 — DWV (SOIC, 8) 5,85 × 7,50 мм; табл. 5-1 — выводы; табл. тепловых сопротивлений — RθJA 110,1 °C/Вт; табл. изоляции — CLR и CPG 8,5 мм; история изменений — CLR и CPG изменены с 9 на 8,5 мм
Texas Instruments. ISO1042 Isolated CAN Transceiver With 70V Bus Fault Protection and Flexible Data Rate (SLLSF09F, revised August 2026) — тот же чертёж DWV0008A (4218796/A), с. 41–42, текст листов совпадает построчно; рис. 4-2 — выводы DWV; табл. тепловых сопротивлений — RθJA 100 °C/Вт для DWV и 69,9 °C/Вт для DW; табл. изоляции — CLR и CPG > 8,5 мм для DWV-8 и > 8,15 мм для DW-16

Нашли ошибку?