Корпус TSSOP-56 (шаг 0,5 мм, TI DGG0056A)

Особенности чертежа

TI задаёт размеры без буквенных обозначений; в таблице им присвоены символы Microchip. Длина корпуса 13,9–14,1 мм — без облоя, до 0,15 мм на сторону (примечание 3), ширина 6,0–6,2 мм. По концам выводов — 7,9–8,3 мм (TYP), толщина вывода — около 0,15 мм (TYP). Между центрами крайних выводов ряда — 13,5 мм: 27 шагов по 0,5 мм.

Высота до 1,2 мм, зазор под корпусом 0,05–0,15 мм, ширина вывода 0,17–0,27 мм, опорная часть 0,5–0,75 мм, угол стопы 0–8°. Примечание 4 ссылается на JEDEC MO-153 — тот же стандарт, что у узких TSSOP.

Посадочное место

Пример TI — 56 площадок 0,3 × 1,5 мм с шагом 0,5 мм, между центрами рядов 7,5 мм; все размеры справочные. Окно маски отступает от меди не более чем на 0,05 мм (для площадок, ограниченных маской, маска заходит на медь не менее чем на столько же), предпочтительный вариант — площадки без ограничения маской (NSMD).

Наш расчёт: зазор между соседними площадками — 0,5 − 0,3 = 0,2 мм, зазор между рядами — 7,5 − 1,5 = 6,0 мм, габарит поперёк рядов — 9,0 мм, вдоль ряда — 13,5 + 0,3 = 13,8 мм. Внешний край площадки — в 4,5 мм от оси, на 0,35–0,55 мм дальше конца вывода (3,95–4,15 мм). Ряд площадок почти равен длине корпуса: крайние площадки заканчиваются в 0,05–0,15 мм от его торцов.

Тепло

У SN75LVDS83B в DGG θJA — 63,4 °C/Вт на плате JEDEC High-K (2s2p), θJC — 15,9 °C/Вт; рабочая температура −10…+70 °C, кристалла — до 105 °C. Таблица мощностей (разд. 7.5) даёт для DGG 1730 мВт при 25 °C и 865 мВт при 70 °C на плате High-K, 1111 и 555 мВт на плате Low-K.

Расхождения в документации

• Размер корпуса на первой странице SN75LVDS83B. Таблица корпусов пишет «14.00 mm x 5.10 mm», а особенности и рисунок на той же странице — «8 × 14mm» и «8.1-mm x 14-mm». По чертежу ширина корпуса — 6,0–6,2 мм, размах выводов — 7,9–8,3 мм; 5,10 мм не соответствует ни тому, ни другому.
• Тепловое сопротивление в двух таблицах. Разд. 7.4 даёт для DGG на плате High-K θJA 63,4 °C/Вт, а коэффициент снижения мощности в разд. 7.5 — 19 мВт/°C, что по примечанию 2 соответствует 1 / 0,019 ≈ 52,6 °C/Вт (наш расчёт). θJC для DGG — 15,9 °C/Вт в разд. 7.4 и 15,4 °C/Вт в примечании 3 к разд. 7.5.
• Предельная температура в таблице мощностей. Таблица 7.5 доходит до нуля мощности при 25 + 1730 / 19 ≈ 116 °C (High-K) и 25 + 1111 / 12,3 ≈ 115 °C (Low-K) — наш расчёт, то есть подразумевает предел кристалла около 115 °C, а таблица 7.4 ограничивает температуру кристалла 105 °C. Значения θJA для DGG на плате Low-K в таблице 7.4 нет, хотя 12,3 мВт/°C соответствуют 1 / 0,0123 ≈ 81 °C/Вт.